Publication:
Simulation of High-Efficiency Klystrons with the COM and CSM bunching

Дата
2019
Авторы
Baikov, Andrei
Baikova, Olga
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
the two types of high effective bunching in powerful klystrons are discussed. The first bunching type, named COM, is intended for standard klystron structure with first harmonic cavities only. The second bunching type, named CSM, is realized in klystron structures which includes cavities of second and third harmonics. Both bunching types allow to reach the klystron efficiency up to 90%.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Baikov, Andrei Simulation of High-Efficiency Klystrons with the COM and CSM bunching / Baikov, Andrei, Baikova, Olga // 2019 INTERNATIONAL VACUUM ELECTRONICS CONFERENCE (IVEC). - 2019. - 2019
URI
http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000482640900024
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18616
Коллекции
Публикации