Publication:
Modification of Silicon Nanostructures by Cold Atmospheric Pressure Plasma Jets

Дата
2023
Авторы
Pokryshkin, N. S.
Yakunin, V. G.
Efimova, A. I.
Timoshenko, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
Cold atmospheric plasma (CAP) jets with helium (He) and argon (Ar) plasma-forming gases were used to modify the structure, photoluminescence (PL), and electrical properties of arrays of silicon nanowires (SiNWs) with initial cross-section sizes of the order of 100 nm and length of about 7‒8 microns. The CAP source consisted of a 30 kHz voltage generator with a full power up to 5 W and the CAP treatment for 1‒5 min resulted in spattering of SiNWs’ tips followed by redeposition of silicon atoms. An increase of the silicon oxide phase and a decrease of the PL intensity were observed in the plasma processed SiNW arrays. A decrease of the free hole concentration and an increase in the free electron density were revealed in heavily boron and phosphorous doped SiNWs, respectively, as it was monitored by means of the Raman spectroscopy, considering a coupling of the light scattering by phonon and free charge carriers (Fano effect) in SiNWs. The obtained results demonstrate that the CAP treatment can be used to change the length, sharpness, luminescence intensity, and electrical properties of silicon nanowires for possible applications in optoelectronics and sensorics.
Описание
Ключевые слова
Atmospheric Pressure Plasmas , Cold Atmospheric Plasma , Silicon Quantum Dots
Цитирование
Modification of Silicon Nanostructures by Cold Atmospheric Pressure Plasma Jets / Pokryshkin, N. S. [et al.] // Eurasian Chemico-Technological Journal. - 2023. - 25. - № 2. - P. 73-79. - 10.18321/ectj1497
URI
https://www.doi.org/10.18321/ectj1497
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85167656423&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:001044430100002
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29157
Коллекции
Публикации