Publication:
Direct patterning of nitrogen-doped chemical vapor deposited graphene-based microstructures for charge carrier measurements employing femtosecond laser ablation

Файлы
W2942343656.pdf(1.08 MB)
Дата
2019
Авторы
Kovalchuk, Nikolai G.
Niherysh, Kiryl A.
Felsharuk, Andrei V.
Svito, Ivan A.
Kargin, Nikolai I.
Komissarov, Ivan V.
Prischepa, S. L.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Chemical vapor deposited nitrogen-doped graphene, transferred onto a SiO2/Si substrate, was selectively patterned by femtosecond laser ablation for the formation of the topology dedicated to charge carrier measurements. Ultrashort 1030nm wavelength Yb:KGW fs-laser pulses of 22 mu J energy,14 mJ cm(-2) fluence, 96% pulse overlap, and a scanning speed of 100mm s(-1), were found to be the optimum regime for the high throughput microstructure ablation in graphene, without surface damage of the substrate in the employed fs-laser micromachining workstation. Optical scanning electron and atomic force microscopy, as well as Raman spectroscopy, were applied to clarify the intensive fs-laser light irradiation effects on graphene and the substrate, and to also verify the quality of the graphene removal. Measurements of magnetotransport properties of the fs-laser ablated nitrogen-doped graphene microstructure in the Hall configuration enabled the determination of the type, as well as concentration of charge carriers in a wide range of temperatures.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Direct patterning of nitrogen-doped chemical vapor deposited graphene-based microstructures for charge carrier measurements employing femtosecond laser ablation / Kovalchuk, NikolaiG [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2019. - 52. - № 30. - 10.1088/1361-6463/ab1c4b
URI
https://www.doi.org/10.1088/1361-6463/ab1c4b
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85070084395&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000468875300001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18100
Коллекции
Публикации