Publication:
Simulation of characteristics of microwave transistors with AlGaN heterostructures

Дата
2019
Авторы
Pevtsov, E. Ph.
Demenkova, T. A.
Indrishenok, V. I.
Varlamov, N. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. In work results of researches in the area of simulation of electrical characteristics of the AlGaN/GaN field-effect transistor are provided. The considerable difference of transport processes in case of the strong and feeble electrical polarization is shown. The role of capture of centers in volume of a buffer layer GaN is analyzed and it is shown that deep interruptions can influence considerably on distribution of electrostatic potential and density of electrons in a buffer layer. In case of high concentration of interruptions there is a sharp lowering of density of the free electrons with increase of distance from the channel, the current density in the depth of a buffer layer decreases.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Simulation of characteristics of microwave transistors with AlGaN heterostructures / Pevtsov, E.Ph. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012040
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012040
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065594651&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800040
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17985
Коллекции
Публикации