Publication:
Исследование механизмов роста тонких пленок карбида кремния, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorКаргин Н. И.
dc.contributor.authorБарышников, Н. Б.
dc.date.accessioned2025-02-13T07:49:49Z
dc.date.available2025-02-13T07:49:49Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionУровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Т08-67А
dc.description.abstractОбъектом исследования являются структуры 3C-SiC/Si и 3С-SiC/por-Si. Целью дипломного проекта является исследование механизмов роста пленок SiC, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек. В данной квалификационной работе был проработан массив литературы, посвященной газофазной эпитаксии SiC, созданию буферного слоя SiC методом карбидизации монокристаллических и пористых подложек. Проведен ряд экспериментов по карбидизации Si(100) и por-Si(100) и определен коэффициент диффузии атомов углерода в слое 3C-SiC. В работе разработана модель, объясняющая кинетику карбидизации образцов мезопористого кремния, в которой учитываются процессы кнудсеновской диффузии, а также закупоривание пор в результате роста слоя 3C-SiC.
dc.identifier.citationБарышников, Н. Б. Исследование механизмов роста тонких пленок карбида кремния, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / Н. Б. Барышников ; рук. работы Каргин Н. И., 2016
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/35007
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleИсследование механизмов роста тонких пленок карбида кремния, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы