Publication: Исследование механизмов роста тонких пленок карбида кремния, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек
Дата
2016
Авторы
Барышников, Н. Б.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Объектом исследования являются структуры 3C-SiC/Si и 3С-SiC/por-Si. Целью дипломного проекта является исследование механизмов роста пленок SiC, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек. В данной квалификационной работе был проработан массив литературы, посвященной газофазной эпитаксии SiC, созданию буферного слоя SiC методом карбидизации монокристаллических и пористых подложек. Проведен ряд экспериментов по карбидизации Si(100) и por-Si(100) и определен коэффициент диффузии атомов углерода в слое 3C-SiC. В работе разработана модель, объясняющая кинетику карбидизации образцов мезопористого кремния, в которой учитываются процессы кнудсеновской диффузии, а также закупоривание пор в результате роста слоя 3C-SiC.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Т08-67А
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Барышников, Н. Б. Исследование механизмов роста тонких пленок карбида кремния, полученных методом карбидизации пористых кремниевых подложек : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / Н. Б. Барышников ; рук. работы Каргин Н. И., 2016