Publication:
Features of Upsets Formation in VLSI under Pulsed Ionizing Radiation

Дата
2025
Авторы
Chumakov, A. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Chumakov, A. I. Features of Upsets Formation in VLSI under Pulsed Ionizing Radiation / Chumakov, A. I. // Russian Microelectronics. - 2025. - 54. - № 3. - P. 240-247. - 10.1134/S1063739725600360
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063739725600360
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-105014878297&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/38605
Коллекции
Публикации