Publication: Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах
| dc.contributor.advisor | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Тагиров, М. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-13T10:04:39Z | |
| dc.date.available | 2025-02-13T10:04:39Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.description | Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 010400; Группа: Т08-67 | |
| dc.description.abstract | В выпускной квалификационной работе исследовалось влияние конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах на гетероструктурах на основе AlGaAs/InGaAs. Были изучены основные принципы работы PHEMT нанотранзисторов и программные средства, позволяющие численно промоделировать работу транзистора. Выбраны наиболее подходящие для поставленной задачи модели. С помощью программного обеспечения Sentaurus рассчитаны и построены графики ВАХ, распределения потенциала, напряженности электрического поля, скорости и концентрации электронов вдоль канала транзистора для различной концентрации легирования контактного слоя. По графикам ВАХ была определена крутизна транзистора. Построены графики зависимости крутизны транзистора от концентрации легирования и ширины рецесса. По данным графикам определены наиболее оптимальная концентрация легирования контактного слоя и ширина рецесса, позволяющие достичь максимальной крутизны транзистора. Работа изложена на 43 страницах, содержит 24 рисунка и список литературы из 11 наименований. | |
| dc.identifier.citation | Тагиров, М. Ф. Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 010400 / М. Ф. Тагиров ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, 2015 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/36482 | |
| dc.language | ru | ru |
| dc.subject | ВКР | |
| dc.subject | Выпускная квалификационная работа | |
| dc.title | Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах | |
| dc.type | ВКР | |
| dspace.entity.type | Publication |