Publication: Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах
Дата
2015
Авторы
Тагиров, М. Ф.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В выпускной квалификационной работе исследовалось влияние конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах на гетероструктурах на основе AlGaAs/InGaAs. Были изучены основные принципы работы PHEMT нанотранзисторов и программные средства, позволяющие численно промоделировать работу транзистора. Выбраны наиболее подходящие для поставленной задачи модели. С помощью программного обеспечения Sentaurus рассчитаны и построены графики ВАХ, распределения потенциала, напряженности электрического поля, скорости и концентрации электронов вдоль канала транзистора для различной концентрации легирования контактного слоя. По графикам ВАХ была определена крутизна транзистора. Построены графики зависимости крутизны транзистора от концентрации легирования и ширины рецесса. По данным графикам определены наиболее оптимальная концентрация легирования контактного слоя и ширина рецесса, позволяющие достичь максимальной крутизны транзистора. Работа изложена на 43 страницах, содержит 24 рисунка и список литературы из 11 наименований.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 010400; Группа: Т08-67
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Тагиров, М. Ф. Исследование влияния конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 010400 / М. Ф. Тагиров ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, 2015