Publication:
Temperature Dependence of Surface Recombination Current in Bipolar Transistors

Дата
2023
Авторы
Bakerenkov, A.
Felitsyn, V.
Chubunov, P.
Skorkin, I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Temperature Dependence of Surface Recombination Current in Bipolar Transistors / Bakerenkov, A. [et al.] // 2023 5th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, ICREED 2023. - 2023. - 10.1109/ICREED59404.2023.10390896
URI
https://www.doi.org/10.1109/ICREED59404.2023.10390896
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85184666278&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29639
Коллекции
Публикации