Publication: Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs
Файлы
Дата
2023
Авторы
Гультиков, Н. В.
Телегин, К. Ю.
Андреев, А. Ю.
Шестак, Л. И.
Панарин. В. А.
Старынин, М. Ю.
Мармалюк, А. А.
Ладугин, М. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Представлены теоретические и экспериментальные результаты сравнения мощных лазерных линеек спектрального диапазона 800–810 нм, изготовленных на основе гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs и GaAsP/GaInP. Лучшие результаты были продемонстрированы для линеек на основе гетероструктур GaAsP/GaInP. Максимальные значения выходной
оптической мощности лазерных линеек длиной 1 см в квазинепрерывном режиме накачки достигали 370 – 380 Вт. Обсуждается возможная причина различия выходных мощностей линеек на основе исследуемых систем материалов и приведены способы дальнейшего увеличения мощности излучения.
Описание
Ключевые слова
безалюминиевая гетероструктура , мощные линейки лазерных диодов