Publication:
Theoretical analysis of the charge carrier transport in thin layers of disordered materials with exponential band tail states

Дата
2023
Авторы
Nikerov, D. V.
Nikitenko, V. R.
Tyutnev, A. P.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Charge carrier , Distortion (music) , Transient (computer programming) , Thin-Film Transistors , Thin Film Growth
Цитирование
Nikerov, D. V. Theoretical analysis of the charge carrier transport in thin layers of disordered materials with exponential band tail states / Nikerov, D. V., Nikitenko, V. R., Tyutnev, A. P. // Computational Materials Science. - 2023. - 230. - 10.1016/j.commatsci.2023.112463
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.commatsci.2023.112463
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85169557411&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29209
Коллекции
Публикации