Publication:
Моделирование КМОП кремниевых фотоумножителей в Synopsys TCAD

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorПопова Е.В.
dc.contributor.authorИевлев, С. К.
dc.date.accessioned2025-02-12T14:59:57Z
dc.date.available2025-02-12T14:59:57Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionУровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Б14-102
dc.description.abstractВ данной работе будут разобраны свойства полупроводников, которые позволяют работать SiPM в нужном режиме. Будет рассчитана простейшая структура в TACD и с помощью непосредственно решения уравнения Пуассона. Будет разобрана методика и произведена экстракция основных параметров SiPM из одноэлектронных спектров. Будут разобраны процессы, с помощью которых создается SiPM по технологиям КМОП на фабрике.
dc.identifier.citationИевлев, С. К. Моделирование КМОП кремниевых фотоумножителей в Synopsys TCAD : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / С. К. Иевлев ; рук. работы Попова Е.В., 2018
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/31980
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleМоделирование КМОП кремниевых фотоумножителей в Synopsys TCAD
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы