Publication: Моделирование КМОП кремниевых фотоумножителей в Synopsys TCAD
Дата
2018
Авторы
Иевлев, С. К.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В данной работе будут разобраны свойства полупроводников, которые позволяют работать SiPM в нужном режиме. Будет рассчитана простейшая структура в TACD и с помощью непосредственно решения уравнения Пуассона. Будет разобрана методика и произведена экстракция основных параметров SiPM из одноэлектронных спектров. Будут разобраны процессы, с помощью которых создается SiPM по технологиям КМОП на фабрике.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Б14-102
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Иевлев, С. К. Моделирование КМОП кремниевых фотоумножителей в Synopsys TCAD : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / С. К. Иевлев ; рук. работы Попова Е.В., 2018