Publication:
Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorВасильевский И.С.
dc.contributor.authorКулешова, А. А.
dc.date.accessioned2025-02-13T07:53:11Z
dc.date.available2025-02-13T07:53:11Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionУровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Т08-67А
dc.description.abstractАННОТАЦИЯ к дипломной работе на тему: Тема: «Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb» Выполнена студенткой НИЯУ МИФИ Кулешовой Алисы Целью исследования является: 1. Исследование особенностей эффекта Шубникова-де-Гааза и квантового эффекта Холла в образцах с двойной квантовой ямой InAs/AlSb, разделенной туннельным барьером AlSb разной толщины 2. Определение подвижности и концентрации электронов при низких температурах в сильном магнитном поле 3. Оценка туннельного расщепления подзон размерного квантования в связанных квантовых ямах.
dc.identifier.citationКулешова, А. А. Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / А. А. Кулешова ; рук. работы Васильевский И.С., 2016
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/35069
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleИсследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы