Publication: Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb
Дата
2016
Авторы
Кулешова, А. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
АННОТАЦИЯ к дипломной работе на тему: Тема: «Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb» Выполнена студенткой НИЯУ МИФИ Кулешовой Алисы Целью исследования является: 1. Исследование особенностей эффекта Шубникова-де-Гааза и квантового эффекта Холла в образцах с двойной квантовой ямой InAs/AlSb, разделенной туннельным барьером AlSb разной толщины 2. Определение подвижности и концентрации электронов при низких температурах в сильном магнитном поле 3. Оценка туннельного расщепления подзон размерного квантования в связанных квантовых ямах.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Т08-67А
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Кулешова, А. А. Исследование электронных магнетотранспортных свойств двойных квантовых ям InAs/AlSb : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / А. А. Кулешова ; рук. работы Васильевский И.С., 2016