Publication:
Effect of Different De-Embedding Techniques on Small-Signal Parameters of X-Band Low-Noise Amplifier

Дата
2021
Авторы
Popov, A. A.
Dobush, I. M.
Metel, A. A.
Bilevich, D. V.
Vasil'evskii, I. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.In most cases researchers consider existing de-embedding techniques in terms of characterization accuracy of the monolithic microwave integrated circuit component where an emphasis is put on the upper limit of the frequency range. In real practice, when faced with a choice of the de-embedding technique, one must take into account a number of additional factors, such as target application field of the component, manufacturing capabilities and production costs. In this paper we compare existing de-embedding techniques in the context of GaAs pHEMT-based two-stage low-noise amplifier monolithic microwave integrated circuit design. Firstly, we analyze several de-embedding techniques valid for pHEMTs with both coplanar and microstrip accesses and outline differences in de-embedded active bias S-parameters. Then, for each of the considered de-embedding technique we estimated the overall effect on low-noise amplifier small-signal characteristics, the total wafer area occupied by various de-embedding structures and flexibility of a technique regarding characterization of several active and passive devices with different pad distance and feed line length located on the same wafer.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effect of Different De-Embedding Techniques on Small-Signal Parameters of X-Band Low-Noise Amplifier / Popov, A.A. [et al.] // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications. - 2021. - 10.1109/SIBCON50419.2021.9438889
URI
https://www.doi.org/10.1109/SIBCON50419.2021.9438889
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85107632415&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000680842100039
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24212
Коллекции
Публикации