Publication:
Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions

Дата
2019
Авторы
Cherkova, S. G.
Volodin, V. A.
Skuratov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The optical properties of float-zone (FZ) silicon irradiated with swift heavy ions (SHI) are studied. In the low-temperature photoluminescence spectra, a broad peak in the range 1.3–1.5 μm is evident along with the well-known X, W, W', R, and C lines. In this case, it is found that, as the irradiation dose is increased in the range 3 × 1011–1013 cm–2, the photoluminescence peak falls and narrows and, at the same time, its maximum shifts to longer wavelengths.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Cherkova, S. G. Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions / Cherkova, S.G., Volodin, V.A., Skuratov, V.A. // Semiconductors. - 2019. - 53. - № 11. - P. 1427-1430. - 10.1134/S1063782619110046
Коллекции