Publication:
Registration of the transition radiation with GaAs detector: Data/MC comparison

Файлы
W3114523360.pdf(934.65 KB)
Дата
2020
Авторы
Alozy, J.
Bergmann, B. L.
Billoud, T. R. V.
Broulim, P.
Belyaev, N.
Doronin, S.
Fillippov, K.
Ponomarenko, D.
Romaniouk, A.
Savchenko, A. A.
Показать ещё 10
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd.New developments of pixel detectors based on GaAs sensors offer effective registration of the transition radiation (TR) X-rays and perform simultaneous measurements of their energies and emission angles. This unique feature opens new possibilities for particle identification on the basis of maximum available information about generated TR photons. Results of studies of TR energy-Angular distributions using a 500 |j.m thick GaAs sensor attached to a Timepix3 chip are presented. Measurements, analysis techniques and a comparison with Monte Carlo (MC) simulations are described and discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Registration of the transition radiation with GaAs detector: Data/MC comparison / Alozy, J. [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. - 2020. - 1690. - № 1. - 10.1088/1742-6596/1690/1/012041
URI
https://www.doi.org/10.1088/1742-6596/1690/1/012041
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85098330751&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22954
Коллекции
Публикации