Publication:
Structural and Photoluminescence Properties of Graphite-Like Carbon Nitride

Дата
2020
Авторы
Baglov, A. V.
Chubenko, E. B.
Hnitsko, A. A.
Borisenko, V. E.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Interrelationship between the structure and optical properties of graphite-like semiconductor carbon nitride produced by the heat treatment of thiocarbamide in an oxygen-containing medium at temperatures in the range from 400 degrees C to 625 degrees C is established. It is found that the maximum of the photoluminescence band shifts from 417 to 494 nm and simultaneously broadens, as the temperature of synthesis is elevated to 625 degrees C. This effect is attributed to doping with oxygen and to the formation of defects as a consequence of decomposition of the already synthesized material with increasing temperature.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Structural and Photoluminescence Properties of Graphite-Like Carbon Nitride / Baglov, AV [et al.] // Semiconductors. - 2020. - 54. - № 2. - P. 228-232. - 10.1134/S1063782620020049
Коллекции