Publication:
ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ ЗАТВОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СИСТЕМЫ ДВУХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Простая страница элемента
dc.contributor.authorКузнецов, А. Л.
dc.contributor.authorМатвеев, Ю. А.
dc.contributor.authorПавлов, А. Ю.
dc.contributor.authorЩаврук, Н. Е.
dc.date.accessioned2024-03-01T09:04:23Z
dc.date.available2024-03-01T09:04:23Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionРазработана технология формирования субмикронных затворов с помощью системы диэлектриков Si3N4/SiO2 и прецизионного ионного травления. При этом тяжесть формирования субмикронного затвора переносится на нанесение диэлектрика заданной толщины и прецизионное реактивное ионное травление (РИТ).
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10062
dc.publisherНИЯУ МИФИ
dc.titleФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ ЗАТВОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СИСТЕМЫ ДВУХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
dc.typeтезисы
dspace.entity.typePublication
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ ЗАТВОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СИСТЕМЫ ДВУХ ДИЭЛЕКТРИКОВ.pdf
Size:
455.77 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
2011 г._1-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения»