Publication: ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ ЗАТВОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СИСТЕМЫ ДВУХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
Дата
2011
Авторы
Кузнецов, А. Л.
Матвеев, Ю. А.
Павлов, А. Ю.
Щаврук, Н. Е.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
Разработана технология формирования субмикронных затворов с помощью системы диэлектриков Si3N4/SiO2 и прецизионного ионного травления. При этом тяжесть формирования субмикронного затвора переносится на нанесение диэлектрика заданной толщины и прецизионное реактивное ионное травление (РИТ).