Publication: Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GAN
Дата
2020
Авторы
Захарченко, Р. В.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Ключевые слова
Автор МИФИ , Светоизлучающие диоды , Полупроводниковые приборы , Омические контакты , Пленки , Напыление , Металлизация , Светодиод , 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Цитирование
Захарченко, Р. В. Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GAN : автореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах) / Р.В. Захарченко; рук. работы Н.И. Каргин ; [Место защиты: НИЯУ МИФИ]. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2020. - 23 с.