Publication:
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GAN

Дата
2020
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Ключевые слова
Автор МИФИ , Светоизлучающие диоды , Полупроводниковые приборы , Омические контакты , Пленки , Напыление , Металлизация , Светодиод , 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Цитирование
Захарченко, Р. В. Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GAN : автореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах) / Р.В. Захарченко; рук. работы Н.И. Каргин ; [Место защиты: НИЯУ МИФИ]. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2020. - 23 с.