ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz–TDS

БУРМИСТРОВ, Е. Р.; АВАКЯНЦ, Л. П.

Publication:
ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz–TDS

dc.contributor.author	БУРМИСТРОВ, Е. Р.
dc.contributor.author	АВАКЯНЦ, Л. П.
dc.date.accessioned	2026-09-23T09:52:43Z
dc.date.available	2026-09-23T09:52:43Z
dc.date.issued	2025
dc.description.abstract	Гетероструктуры со множественными квантовыми ямами InxGa1-xN/GaN используются в режиме плазмонного детектирования терагерцевого излучения. Генерация двумерных плазмонов проводится методом терагерцовой спектроскопии с временны́м разрешением (THz–TDS). Источником излучения служит Ti-сапфировый лазер с длительностью импульсов 130 фс. В качестве структуры, связывающей электрическое поле плазмона с полем терагерцевого излучения, используется решетчатый затвор с Ti/Au контактами, выращенный методом электронно-лучевой литографии на поверхности гетероструктуры.
dc.identifier.citation	Бурмистров Е. Р. ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz-TDS / Бурмистров Е. Р., Авакянц Л. П. // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике: Сборник научных трудов. - 2025. - С. 91-92
dc.identifier.uri	https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/43454
dc.publisher	НИЯУ МИФИ
dc.title	ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz–TDS
dc.type	Article
dspace.entity.type	Publication