Publication: ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz–TDS
Дата
2025
Авторы
БУРМИСТРОВ, Е. Р.
АВАКЯНЦ, Л. П.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Гетероструктуры со множественными квантовыми ямами InxGa1-xN/GaN используются в режиме плазмонного детектирования терагерцевого излучения. Генерация двумерных плазмонов проводится методом терагерцовой спектроскопии с временны́м разрешением (THz–TDS). Источником излучения служит Ti-сапфировый лазер с длительностью импульсов 130 фс. В качестве структуры, связывающей электрическое поле плазмона с полем терагерцевого излучения, используется решетчатый затвор с Ti/Au контактами, выращенный методом электронно-лучевой литографии на поверхности гетероструктуры.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Бурмистров Е. Р. ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaN/GaN С РЕШЕТЧАТЫМ ЗАТВОРОМ ПО ДАННЫМ THz-TDS / Бурмистров Е. Р., Авакянц Л. П. // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике: Сборник научных трудов. - 2025. - С. 91-92