Publication:
Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров

Файлы
Определение длины диффузии неравновесных носителей.pdf(2.59 MB)
Дата
2024
Авторы
Бутаев, М. Р.
Козловский, В. И.
Скасырский, Я. К.
Юнусова, Н. Р.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Уменьшенное изображение
Выпуск журнала
Квантовая электроника
2024-54 - 2
Аннотация
Исследована катодолюминесценция гетероструктуры с квантовыми ямами CdS/ZnSe/ZnSSe при разных энергиях электронов в диапазоне 3 - 7 кэВ. Получена зависимость отношения интенсивности излучения квантовой ямы к интенсивности излучения барьерных слоев ZnSSe, согласованных с подложкой GaAs. Выполнено моделирование этого соотношения при различных длинах диффузии неравновесных носителей заряда в барьерных слоях и коэффициентах захвата этих носителей в квантовую яму. Показано, что учет поверхностной рекомбинации дает лучшие результаты моделирования. Из сравнения результатов моделирования и экспериментальных данных получена оценка длины диффузии неравновесных носителей в барьерных слоях - 25 нм. Обсуждается влияние длины диффузии на характеристики полупроводникового дискового лазера на основе гетероструктур с аналогичными квантовыми ямами.
Описание
Ключевые слова
Ионизационная кривая , Катодолюминесценция , Парофазная эпитаксия из элементоорганических соединений , Гетероструктура CdS/ZnSe/ZnSSe , Длина диффузии , Полупроводниковый дисковый лазер
Цитирование
Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров [Text]. / Бутаев Марат Раджабали оглы [et al.] // Квантовая электроника. - 2024. - 54, 2. - С. 89-94
URI
https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/37986
Коллекции