Publication: Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs ( l = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
creativeworkseries.issn | 0368-7147 | |
dc.contributor.author | Слипченко, С. О. | |
dc.contributor.author | Соболева, О. С. | |
dc.contributor.author | Головин, В. С. | |
dc.contributor.author | Пихтин, Н. А. | |
dc.date.accessioned | 2024-05-07T12:12:17Z | |
dc.date.available | 2024-05-07T12:12:17Z | |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.description.abstract | На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано, что при фиксированной амплитуде тока накачки максимальная излучаемая мощность достигается для комбинации оптимальных параметров резонатора – длины резонатора Lopt и коэффициента отражения выходного зеркала RAR opt. Установлено, что возможность увеличения мощности за счет снижения коэффициента RAR ограничена из-за формирования локальной области высоких оптических потерь и токов рекомбинационных потерь у грани резонатора с большим коэффициентом отражения | |
dc.identifier.citation | Слипченко С.О., Соболева О.С., Головин В.С., Пихтин Н.А. “ Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки ”, Квантовая электроника, 53 (1), 17–24 (2023). | |
dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10306 | |
dc.subject | дрейф-диффузионный транспорт | |
dc.subject | полупроводниковые лазеры высокой мощности | |
dc.subject | лазерный диод | |
dc.subject | пространственное выжигание тока | |
dc.subject | пространственное выжигание дырок | |
dc.subject | транспорт носителей заряда | |
dc.subject | скоростные уравнения | |
dc.subject | модель полупроводникового лазера | |
dc.title | Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs ( l = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки | |
dc.title.alternative | Лазеры | |
dc.type | Article | |
dspace.entity.type | Publication | |
relation.isJournalIssueOfPublication | 88495875-3f1b-4781-afb8-82a06873de2a | |
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscovery | 88495875-3f1b-4781-afb8-82a06873de2a | |
relation.isJournalOfPublication | 912baea6-a69f-48e5-a2df-af616dd3d576 |