Publication: Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs ( l = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
Файлы
Дата
2023
Авторы
Слипченко, С. О.
Соболева, О. С.
Головин, В. С.
Пихтин, Н. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано, что при фиксированной амплитуде тока накачки максимальная излучаемая мощность достигается для комбинации оптимальных параметров резонатора – длины резонатора Lopt и коэффициента отражения выходного зеркала RAR opt. Установлено, что возможность увеличения мощности за счет снижения коэффициента RAR ограничена из-за формирования локальной области высоких оптических потерь и токов рекомбинационных потерь у грани резонатора с большим коэффициентом отражения
Описание
Ключевые слова
дрейф-диффузионный транспорт , полупроводниковые лазеры высокой мощности , лазерный диод , пространственное выжигание тока , пространственное выжигание дырок , транспорт носителей заряда , скоростные уравнения , модель полупроводникового лазера
Цитирование
Слипченко С.О., Соболева О.С., Головин В.С., Пихтин Н.А. “ Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки ”, Квантовая электроника, 53 (1), 17–24 (2023).