Publication:
Errors of integrated hydrogen sensors based on FETs with structure Pd (Ag)-Ta2O5-SiO2-Si

Дата
2020
Авторы
Kovalenko, A.
Podlepetsky, B.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 The Author(s).The object of the study was an integrated sensor's cell consisting of n-channel FET-sensor element based on Pd(Ag)-Ta2O5-SiO2-Si structure, fabricated on Si-chip together with heater-resistor and temperature sensor by means of conventional n-MOS-technology using laser evaporation Pd(Ag)-films. Estimation of hydrogen concentration measurement's errors by FET-sensors has been done, using the models based on the experimental data. Proposed models of absolute and relative errors include components that take into account the instrumental errors of measurement units; the random errors associated with dispersions of sensors' output voltages; fluctuations of chip temperature and electrical circuits' parameters; additional errors due to the influence of other gases and radiation. It is shown how the errors depend on sensor sensitivity, hydrogen concentrations and total hydrogen dose. Examples of how to estimate the threshold of sensitivity and the operating range of concentration measurements for a given relative error are presented.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Kovalenko, A. Errors of integrated hydrogen sensors based on FETs with structure Pd (Ag)-Ta2O5-SiO2-Si / Kovalenko, A., Podlepetsky, B. // Journal of the Electrochemical Society. - 2020. - 167. - № 16. - 10.1149/1945-7111/abd111
URI
https://www.doi.org/10.1149/1945-7111/abd111
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85099237232&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000607838500001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/23027
Коллекции
Публикации