Publication:
Crystal Structure Analysis of Epitaxial Nanoheterostructures with Multiple Pseudomorphic Quantum Wells {InхGaAs/GaAs} on GaAs (100), (110), and (111)А Substrates

Файлы
S1063774524602764.pdf(1.99 MB)
Дата
2025
Авторы
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Pushkarev, S. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Klimov,E.A. Crystal Structure Analysis of Epitaxial Nanoheterostructures with Multiple Pseudomorphic Quantum Wells {InхGaAs/GaAs} on GaAs (100), (110), and (111)А Substrates / Klimov, E.A. // Crystallography Reports. - 2025. - 70. - № 1. - P. 122-128. - 10.1134/S1063774524602764
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063774524602764
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-105004355998&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/37206
Коллекции
Публикации