Publication:
Impact Modeling of Single Ionizing Particles on the CMOS Triple Majority Gate

Дата
2020
Авторы
Katunin, Y. V.
Stenin, V. Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 IEEE.Results of modeling 65 nm CMOS the Triple Majority Gate on AND and OR logical elements for redundant systems are presented. The AND and OR elements contain inverters located before and after transistors of their NAND and NOR elements. This reduces the duration of the noise pulses when exposed to single ionizing particles. TCAD simulations use particle tracks passing along the normal to the chip crystal surface. With a linear energy transfer of 60 MeV-cm2/mg, the reduction in the pulse duration of noise at the output of CMOS AND (OR) gates is from 2 to 5 times.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Katunin, Y. V. Impact Modeling of Single Ionizing Particles on the CMOS Triple Majority Gate / Katunin, Y.V., Stenin, V.Y. // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2020 - Proceedings. - 2020. - 10.1109/MWENT47943.2020.9067332
URI
https://www.doi.org/10.1109/MWENT47943.2020.9067332
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85084003515&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/21652
Коллекции
Публикации