Publication:
Электронные транспортные свойства составных квантовых ям InAlAs/InGaAs на подложках InP, содержащих нановставку InAs

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorВасильевский Иван Сергеевич, Никитенко Владимир Роленович
dc.contributor.authorПавленко, И. А.
dc.contributor.authorПавленко, Иван Александрович
dc.date.accessioned2025-02-12T14:37:25Z
dc.date.available2025-02-12T14:37:25Z
dc.date.issued2017
dc.descriptionУровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Б13-002
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа посвящена исследованию влияния технологических параметров роста на электронные транспортные свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, с составной КЯ, содержащей нановставку InAs.
dc.identifier.citationПавленко, И. А. Электронные транспортные свойства составных квантовых ям InAlAs/InGaAs на подложках InP, содержащих нановставку InAs : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / И. А. Павленко ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, Никитенко Владимир Роленович, 2017
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/31395
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleЭлектронные транспортные свойства составных квантовых ям InAlAs/InGaAs на подложках InP, содержащих нановставку InAs
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublicatione15caf44-b206-4223-a997-3e281d636adb
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscoverye15caf44-b206-4223-a997-3e281d636adb
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы