Publication: Электронные транспортные свойства составных квантовых ям InAlAs/InGaAs на подложках InP, содержащих нановставку InAs
Дата
2017
Авторы
Павленко, И. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Выпускная квалификационная работа посвящена исследованию влияния технологических параметров роста на электронные транспортные свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, с составной КЯ, содержащей нановставку InAs.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 14.03.02; Группа: Б13-002
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Павленко, И. А. Электронные транспортные свойства составных квантовых ям InAlAs/InGaAs на подложках InP, содержащих нановставку InAs : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 14.03.02 / И. А. Павленко ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, Никитенко Владимир Роленович, 2017