Персона:
Стариковский, Александр Сергеевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Стариковский
Имя
Александр Сергеевич
Имя

Фильтры

20232
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Руднев, Игорь Анатольевич × Тема: критическая температура ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    Влияние ионного облучения на структурные параметры сверхпроводящего слоя ВТСП композитов
    (2023) Абин, Д. А.; Руднев, И. А.; Стариковский, А. С.; Покровский, С. В.; Веселова, С. В.; Осипов, М. А.; Батулин, Р. Г.; Киямов, А. Г.; Федин, П. А.; Прянишников, К. Е.; Кулевой, Т. В.; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Стариковский, Александр Сергеевич; Веселова, Светлана Владимировна; Абин, Дмитрий Александрович
    Исследовано влияние облучения ионами Cu+ с энергией E = 6.3 эВ на кристаллическую структуру и критические характеристики высокотемпературных сверхпроводников на основе меди в режиме создания радиационных дефектов. Показана деградация сверхпроводящих свойств, рост параметров решетки и величины относительных напряжений, обусловленных беспорядком, вдоль оси c с увеличением флюенса вплоть до полного исчезновения сверхпроводящих свойств при флюенсе F = 1.5 ∙ 1014 см–2.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    Влияние облучения протонами на критические параметры ВТСП композитов
    (2023) Абин, Д. А.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Руднев, И. А.; Столбунов, В. С.; Кулевой, Т. В.; Федин, П. А.; Стариковский, Александр Сергеевич; Осипов, Максим Андреевич; Абин, Дмитрий Александрович; Руднев, Игорь Анатольевич
    Высокотемпературные сверхпроводящие (ВТСП) композитные ленты второго поколения – перспективные материалы для разработки источников высоких магнитных полей, в том числе для ускорителей и токамаков, где сверхпроводники могут подвергаться длительному воздействию радиационного излучения. Такое воздействие приводит к появлению дефектов в сверхпроводниках, наличие которых может приводить как к снижению токонесущей способности ВТСП вследствие деградации сверхпроводящего слоя, так и к увеличению, вследствие образования дополнительных центров пиннинга для вихрей магнитного поля. В данной работе было проведено моделирование процессов дефектообразования при облучении протонами с энергией Е = 6–20 МэВ как одиночной ленты, так и стопки из 10 ВТСП лент. Полученные результаты были проверены экспериментально при облучении стопки из 10 ВТСП лент протонами с энергией E = 6 МэВ и флюенсом до 5 ⋅ 1015 см–2. Для экспериментальных исследований использовалась промышленная ВТСП лента SuperOx с двусторонним медным покрытием толщиной 20 мкм. Показано, что для облучения протонами с энергией E = 6 МэВ, излучение практически не проходит сквозь одиночную ленту, что подтверждается тем фактом, что критический ток сверхпроводника падает только в первом слое стопки ВТСП-лент, а величина критической температуры для этого слоя отличается менее чем на 0.5% по сравнению с необлучённой лентой. Сделан вывод, что в реальных системах ВТСП-ленты могут быть легко защищены от излучения с энергией Е = 6 МэВ, но при увеличении энергии требуется более сложная конструкция защиты.Перспективные конструкционные материалы