Персона:
Гришаков, Константин Сергеевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Гришаков
Имя
Константин Сергеевич
Имя

Фильтры

2022 - 20233
3
3
Сброс фильтров

Настройки

Тема: Программа ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    ПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА ЭНЕРГИЙ И ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВОМ КВАНТОВЫХ ЯМ В РАМКАХ 4X4 KP-ГАМИЛЬТОНИАНА ПРИ НАЛИЧИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И МЕХАНИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННЫХ СЛОЕВ
    (НИЯУ МИФИ, 2023) Гришаков, К. С.; Васильевский, И. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин Сергеевич
    Программа позволяет находить заданное пользователем количество электронных и дырочных энергетических уровней, и соответствующие им нормированные волновые функции в гетеро структурах с множеством квантовых ям, в том числе при наличии напряженных слоев. Для дырочных состояний программа решает задачу на собственные значения 4x4 kp-Гамильтониана. Для электронных состояний программа решает задачу на собственные значения уравнений Шредингера с зависящей от координаты эффективной массой. При наличии электрического поля для нахождения электронных и дырочных состояний на границах расчетной области применяются идеально согласованные слои. На входе в программу задаются параметры слоевой структуры и величина электрического поля. Программа может применяться в области наноэлектроники и радиофотоники. Тип ЭВМ: IBM PC - совместимый компьютер; ОС: Windows ХР и выше, Linux.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    ПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GAN
    (НИЯУ МИФИ, 2022) Гришаков, К. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Гришаков, Константин Сергеевич
    Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик GaN резонансно-туннельных диодов (РТД) с учетом межэлектронного взаимодействия, поляризационных зарядов на гетерограницах. Область применения программы: оптимизация статических характеристик GaN РТД. Пользователем задаются: толщины слоев, значения поляризационных зарядов на гетерограницах, степень легирования, значения эффективной массы и диэлектрической проницаемости квантовой ямы, значения разрыва зоны проводимости для барьерных слоев, температура. Далее программа решает стационарную систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями для заданной гетероструктуры. Полученная вольт-амперная характеристика записывается в выходной текстовый файл. Программа распараллелена с помощью технологии OpenMP. Тип ЭВМ: IBM PC. ОС: Windows ХР и выше, Linux.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    ПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
    (НИЯУ МИФИ, 2022) Гришаков, К. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Гришаков, Константин Сергеевич
    Программа предназначена для расчета переходных процессов в резонансно-туннельных гетероструктурах, вызванных изменениями напряжения. Программа решает временную систему уравнений Шредингера и Пуассона с точными открытыми граничными условиями. На входе задаются параметры гетероструктуры и величина переключаещего напряжения. На выходе идет запись в файл зависимости тока от времени, напряжения от времени, а также зависимости концентрации электронов, потенциала структуры и различных составляющих полного тока от координаты для заданных пользователем временных шагов. Программа может применяться в области наноэлектроники для исследования физических особенностей переходных процессов, нахождения и оптимизации времен переходных процессов в резонансно-туннельных гетероструктурах. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Windows ХР и выше, Linux.