Персона:
Воронов, Юрий Александрович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Воронов
Имя
Юрий Александрович
Имя

Фильтры

20191
1
1
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Kalin, B. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 1 из 1
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Application of the ion mixing method for doping near surface layers of the silicon single crystals
    (2019) Volkov, N.; Kalin, B.; Voronov, Y. u.; Pershenkov, V.; Воронов, Юрий Александрович
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Penetration of alien atoms (Be, Al, Ni, Mo) into Si, diamond monocrystals substrates was investigated under Ar + ion bombardment of samples having thermally evaporated films of 30-50 nm. Sputtering was carried out using a wide energy spectrum beam of Ar + ions with mean energy 9.4 keV to dose D = 1×10 16 -10 19 ion/cm 2 . Implanted atom distribution in the targets was measured by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) of H + and He + ions with start energy of 1.6 MeV as well as secondary ion mass-spectrometry (SIMS). During the bombardment, the penetration depth of Ar atoms increases with dose linearly. This depth is more than 3-20 times deeper than the projected range of bombarding ions and recoil atoms. This is a "ion mixing" process. The analysis shows that the experimental data for foreign atoms penetration depth are similar to the data calculated for atom migration through the interstitial site in a field of internal (lateral) compressive stresses created in the near-surface layer of the substrate as a result of implantation. Under these experimental conditions atom ratio r i /r m (r i - radius of dopant atom, r m - radius of substrate atom) can play a principal determining role. Show that maximum penetration depth of the film atoms in the substrates may be determine by "isotropic model" under ion beam (with wide energy spectrum - polyenergy) irradiation of the "film-substrate" systems too.