Publication:
Application of the ion mixing method for doping near surface layers of the silicon single crystals

Дата
2019
Авторы
Volkov, N.
Kalin, B.
Voronov, Y. u.
Pershenkov, V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Penetration of alien atoms (Be, Al, Ni, Mo) into Si, diamond monocrystals substrates was investigated under Ar + ion bombardment of samples having thermally evaporated films of 30-50 nm. Sputtering was carried out using a wide energy spectrum beam of Ar + ions with mean energy 9.4 keV to dose D = 1×10 16 -10 19 ion/cm 2 . Implanted atom distribution in the targets was measured by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) of H + and He + ions with start energy of 1.6 MeV as well as secondary ion mass-spectrometry (SIMS). During the bombardment, the penetration depth of Ar atoms increases with dose linearly. This depth is more than 3-20 times deeper than the projected range of bombarding ions and recoil atoms. This is a "ion mixing" process. The analysis shows that the experimental data for foreign atoms penetration depth are similar to the data calculated for atom migration through the interstitial site in a field of internal (lateral) compressive stresses created in the near-surface layer of the substrate as a result of implantation. Under these experimental conditions atom ratio r i /r m (r i - radius of dopant atom, r m - radius of substrate atom) can play a principal determining role. Show that maximum penetration depth of the film atoms in the substrates may be determine by "isotropic model" under ion beam (with wide energy spectrum - polyenergy) irradiation of the "film-substrate" systems too.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Application of the ion mixing method for doping near surface layers of the silicon single crystals / Volkov, N. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012025
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012025
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065562342&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800025
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17967
Коллекции
Публикации