Персона: Чуков, Георгий Викторович
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Статус
Фамилия
Имя
Имя
Результаты поиска
Возможность применения алгоритмов машинного обучения для прогнозирования качества ЭКБ И РЭА
2023, Колосова, А. С., Каменева, А. С. , Чуков, Г. В. , Никифоров, А. Ю. , Каменева, Анна Сергеевна, Чуков, Георгий Викторович, Никифоров, Александр Юрьевич, Колосова, Анна Сергеевна
Рассмотрены основные алгоритмы и методы машинного обучения и проведен анализ возможности их применения для оценки качества как основного элемента обеспечения доверенности выпускаемой электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Приводятся примеры успешного применения данных алгоритмов для улучшения таких показателей качества ЭКБ как надежность, стойкость к внешним воздействующим факторам и др. При проведении исследований стойкости ЭКБ к внешним воздействующим факторам, необходимой является процедура идентификации образцов ЭКБ методом рентгеноскопии, для выявления возможной неоднородности в конструкции образцов, принадлежащих к одной партии. Неоднородность партии может влиять на показатели надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, в связи с чем актуальной задачей является построение надежной системы идентификации. В статье предложен подход к решению задачи поиска неоднородности партии при идентификации образцов ЭКБ с помощью рентгеноскопии, в том числе как метода обеспечения доверенности, с помощью сверточной нейронной сети и алгоритмов кластеризации.
Научно-методические и аппаратно-программные средства контроля работоспособности современных изделий твердотельной СВЧ электроники при воздействии ионизирующих излучений
2013, Чуков, Г. В., Чуков, Георгий Викторович, Елесин, В. В.
Long-term transient radiation effects in high-speed signal switches implemented in 0.1 um E/D pHEMT process
2019, Kuznetsov, A., Elesin, V., Usachev, N., Chukov, G., Кузнецов, Александр Геннадьевич, Елесин, Вадим Владимирович, Усачев, Николай Александрович, Чуков, Георгий Викторович
The transient radiation effects in 0.1 mu m E/D pHEMT high-speed signal switches have been investigated. It was shown that a signal switch transient recovery time caused by pulsed irradiation can exceed 100 ms due to a switch control driver's functional upset.