Персона: Колодко, Добрыня Вячеславич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Колодко
Имя
Добрыня Вячеславич
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияТолько метаданныеDeposition of Metal-Doped Diamond-Like Films Using a Hollow Cathode Discharge(2020) Sorokin, I. A.; Kolodko, D. V.; Krasnobaev, K. I.; Сорокин, Иван Александрович; Колодко, Добрыня Вячеславич© 2020, Pleiades Publishing, Inc.Abstract—A simple technique is presented for producing diamond-like films with copper impurity by sputtering the surface of a copper cathode with argon ions in a glow discharge with a hollow cathode with simultaneous chemical deposition diamond-like films on its surface. It was shown that a small (up to 1: 1000) admixture of propane at the pressure of the plasma forming gas of 40 Pa does not affect the plasma parameters, however, it allows you to vary the relative copper content in the diamond-like film.
- ПубликацияТолько метаданныеEffects of Ar ion irradiation in an ICP discharge on the titanium surface topology(2020) Chernyh, N. A.; Kharkov, M. M.; Kaziev, A. V.; Danilyuk, D. V.; Kukushkina, M. S.; Tumarkin, A. V.; Kolodko, D. V.; Харьков, Максим Михайлович; Казиев, Андрей Викторович; Кукушкина, Маргарита Сергеевна; Тумаркин, Александр Владимирович; Колодко, Добрыня Вячеславич© 2020 Elsevier B.V.VT1-0 (Russian equivalent of Grade 2) titanium surfaces were modified under argon ion bombardment from the low-pressure inductively coupled plasma (ICP). The ion processing allowed us to prepare various types of structures on titanium with controlled characteristic dimensions at nano- and miscroscale (from tens of nm to 3 µm). The hillock, porous, conical, wall/cell structures as well as their combinations have been obtained. The topology type and the characteristic dimensions of surface features depend on the current density js, Ar ion energy Ei, irradiation fluence Φ (or processing time t), and the sample temperature T during the treatment. The microstructures appear on the surface provided the titanium sample is irradiated at temperatures below 900 °C. The sample temperature was determined by both the average current density (jsav from 0.2 to 20 mA/cm2) and the ion energy (Ei from 150 to 1500 eV). A certain fluence is required for uniform surface coverage with microstructures. We suppose that the titanium surface texturing is a result of a complex interplay of the following mechanisms: sputtering, re-sputtering (shadowing), crystal lattice transformation, accumulation and annihilation of defects, and hypothetically, argon retention.
- ПубликацияТолько метаданныеGrowth of Thin Graphite Films on a Dielectric Substrate using Heteroepitaxial Synthesis(2020) Sorokin, I. A.; Kolodko, D. V.; Luzanov, V. A.; Shustin, E. G.; Сорокин, Иван Александрович; Колодко, Добрыня ВячеславичA technique for growing thin graphite films on a dielectric substrate by annealing the Al2O3(0001)/Ni(111)/ta-C structure has been optimized. This technique is based on catalytic decomposition of hydrocarbons on the surface of a single-crystal catalyst metal film on a dielectric substrate and subsequent diffusion and crystallization of carbon between the metal film and the substrate. A thin graphite film with a low density of crystal-structure defects is obtained on the dielectric substrate after chemical etching of the metal film.