2024, Shornikov, D. P., Mikhalchik, V. V., Ivanov, G. A., Tenishev,A.V., Staltsov, M. S., Samotaev, N. N., Шорников, Дмитрий Павлович, Михальчик, Владимир Валерьевич, Иванов, Георгий Андреевич, Тенишев, Андрей Вадимович, Стальцов, Максим Сергеевич, Самотаев, Николай Николаевич

2025, Рукосуев, В. Е., Тенишев, А. В., Лысиков, А. В., Карпюк, Л. А., Шорников, Д. П., Михеев, Е. Н., Новиков, В. В., Сивов, Р. Б., Иванов, Г. А., Быканов, А. С., Иванов, Георгий Андреевич, Шорников, Дмитрий Павлович, Тенишев, Андрей Вадимович

В статье рассмотрено высокотемпературное взаимодействие дисилицида триурана U3Si2 с BeO, Y2O3, Al2O3, ZrO2, Mo и Ta. Для этого проведен теоретический анализ образования эвтектик в данных системах и эксперименты по нагреву образцов из дисилицида триурана, расположенных на подложках из соответствующих материалов, в вакууме до температуры 1500°С. В результате было показано отсутствие взаимодействия U3Si2 с BeO, Y2O3, ZrO2 и Mo. Экспериментально подтверждено образование эвтектики в системе U3Si2−Al2O3. Помимо этого, было выявлено сильное взаимодействие U3Si2 с Та с образованием диффузионных слоев.

2025, Ivanov, G. A., Shornikov, D. P., Samotaev, N. N., Oblov, K. Y., Etrekova, M. O., Litvinov, A. V., Иванов, Георгий Андреевич, Шорников, Дмитрий Павлович, Самотаев, Николай Николаевич, Облов, Константин Юрьевич, Этрекова, Майя Оразгельдыевна, Литвинов, Артур Васильевич

2023, Rukosuev, V. E., Shornikov, D. P., Tenishev, A. V., Bykanov, A. S., Ivanov, G. A., Шорников, Дмитрий Павлович, Тенишев, Андрей Вадимович, Иванов, Георгий Андреевич

2025, Рукосуев, В. Е., Тенишев, А. В., Лысиков, А. В., Карпюк, Л. А., Шорников, Д. П., Новиков, В. В., Сивов, Р. Б., Михеев, Е. Н., Иванов, Г. А., Быканов, А. С., Иванов, Георгий Андреевич, Тенишев, Андрей Вадимович, Шорников, Дмитрий Павлович

В статье рассмотрено высокотемпературное взаимодействие дисилицида триурана U3Si2 с BeO, Y2O3, Al2O3, ZrO2, Mo и Ta. Для этого проведен теоретический анализ образования эвтектик в данных системах и эксперименты по нагреву образцов из дисилицида триурана, расположенных на подложках из соответствующих материалов, в вакууме до температуры 1500°С. В результате было показано отсутствие взаимодействия U3Si2 с BeO, Y2O3, ZrO2 и Mo. Экспериментально подтверждено образование эвтектики в системе U3Si2−Al2O3. Помимо этого, было выявлено сильное взаимодействие U3Si2 с Та с образованием диффузионных слоев.

2024, Rukosuev, V. E., Tenishev, A. V., Lysikov, A. V., Karpyuk, L. A., Shornykov, D. P., Ivanov, G. A., Bykanov, A. S., Тенишев, Андрей Вадимович, Шорников, Дмитрий Павлович, Иванов, Георгий Андреевич

2025, Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Шорников Д.П., Михальчик В.В., Иванов Г.А., Тенишев А.В., Стальцов М.С., Самотаев Н.Н., Брацук А.В., Ковтун С.Ю., Полунин К.К., Урусов А.А., Самотаев, Николай Николаевич, Иванов, Георгий Андреевич, Стальцов, Максим Сергеевич, Михальчик, Владимир Валерьевич, Тенишев, Андрей Вадимович, Шорников, Дмитрий Павлович

В работе проведено исследование гидрида гафния в качестве поглотителя для реакторов на быстрых нейтронах. Отмечено высокое значение сечения поглощения нейтронов, которое сохраняется для всех изотопов гафния, образующихся в ходе нейтронного облучения в реакторе. Однако существует риск разложения гидрида гафния в диапазоне 600‒700°С, что соответствует рабочей температуре поглотителей в реакторах на быстрых нейтронах. Предложен подход, позволяющий снизить выделение водорода из гидрида гафния, заключающийся в нанесении на него защитного покрытия оксида гафния. Проведены отжиги образцов гидрида гафния до температур 1200°С в установке синхронного термического анализа в гелии. Началу десорбции водорода соответствует температура 640°С. Показано полное выделение водорода при температуре 1200°С. При отжиге образцов с нанесенными покрытиями показано значительное снижение выделения водорода при низких температурах. Разработана специальная установка, позволяющая проводить термические испытания гидридных материалов в среде жидкого натрия. Проведены отжиги гидрида гафния в жидком натрии при 700°С. Синхронный термический анализ образцов после выдержки в натрии показал снижение газовыделения, что связано с повышением толщины оксидного слоя на поверхности образцов.