Персона:
Каргин, Николай Иванович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Проректор, директор Центра радиофотоники и СВЧ-технологий, доктор технических наук.
Фамилия
Каргин
Имя
Николай Иванович
Имя

Фильтры

2022 - 20242
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Тема: Патент ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
    Изобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ВЫСОКОЛЕГИРОВАННОГО НАНОСЛОЯ INAS НА ПОДЛОЖКЕ САПФИРА ДЛЯ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
    (НИЯУ МИФИ, 2022) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Каргин, Н. И.; Клочков, А. Н.; Сафонов, Д. А.; Сафонов, Данил Андреевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Клочков, Алексей Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич
    Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам AIIIBV, используемым для изготовления радиационно стойких сенсоров магнитного поля. Технический результат предлагаемого изобретения направлен на получение поликристаллических высоколегированных нанослоев InAs высокого кристаллического качества на сапфировой подложке с низкой шероховатостью поверхности и низким удельным сопротивлением, пригодных для создания радиационно стойких сенсоров магнитного поля. Создание нижнего зародышевого слоя InAlAs толщиной 1÷5 нм, расположенного непосредственно на подложке сапфира, необходимо для смачивания поверхности сапфира и предотвращения аморфизации поверхности в процессе проведения эпитаксиального роста вышележащих слоев. Следующий за нижним зародышевым слоем отжиг слоя InAs в потоке мышьяка в течение 1÷5 мин позволяет сгладить поверхность нанослоя, уменьшив шероховатость поверхности гетероструктуры. Толщина нижнего зародышевого слоя определяется с одной стороны необходимостью восстановления поверхности подложки сапфира и предотвращением ее аморфизации после обязательного предварительного обезгаживания, а с другой стороны - предотвращением механической релаксации перед формированием верхнего зародышевого слоя. Формирование верхнего зародышевого слоя InAs толщиной 1÷3 нм с последующим отжигом в потоке мышьяка в течение 8÷12 минут приводит к релаксации механических напряжений в слое, в результате чего дислокации несоответствия оказываются в нижележащих слоях гетероструктуры и в меньшей степени проникают в высоколегированный слой InAs, что позволяет получать слои InAs с низким удельным сопротивлением более высокого кристаллического качества. Наличие переходного слоя толщиной 1÷3 нм необходимо, чтобы избежать проводимости по вспомогательным слоям под действием нейтронного облучения, в том числе при процессах трансмутационного легирования, что может приводить к изменению чувствительности и удельного сопротивления сенсора магнитного поля. 3 ил.