2023, Сабитов, Д. Р., Светогоров, В. Н., Рябоштан, Ю. Л., Ладугин, М. А., Мармалюк, А. А., Васильев, М. Г., Васильев, А. М., Костин, Ю. О., Шелякин, А. А., Мармалюк, Александр Анатольевич

Созданы светоизлучающие модули спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе гетероструктуры AlGaInAs/InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами в новых уменьшенных корпусах с термостабилизацией. Проверена их работоспособность в предельных режимах эксплуатации. Изучена надежность таких модулей и устойчивость при воздействии климатических факторов.

2023, Подгаецкий, К. А., Лобинцов, А. В., Данилов, А. И., Иванов, А. В., Ладугин, М. А., Мармалюк, А. А., Дюделев, В. В., Михайлов, Д. А., Чистяков, Д. В., Бабичев, А. В., Савченко, Г. М., Лютецкий, А. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Гладышев, А. Г., Новиков, И. И., Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю., Соколовский, Г. С., Мармалюк, Александр Анатольевич

Проведен расчет диэлектрических зеркал для квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона. Подобраны оптимальные материалы диэлектриков для минимизации поглощения лазерного излучения. Изготовлены образцы излучающих в спектральном диапазоне 4 – 5 мкм квантовых каскадных лазеров с различными диэлектрическими высокоотражающими зеркальными покрытиями и исследованы их характеристики. Показано, что нанесение на заднюю грань резонатора высокоотражающего покрытия Si – Si3N4 привело к увеличению выходной оптической мощности исследуемых лазеров на 71% по сравнению с контрольными образцами без покрытий. Использование покрытия Si – SiO2 позволило повысить выходную мощность излучателей на 88%.

2024, Подгаецкий, К. А., Лобинцов, А. В., Данилов, А. И., Иванов, А. В., Ладугин, М. А., Мармалюк, А. А., Кузнецов, Е. В., Дюделев, В. В., Михайлов, Д. А., Чистяков, Д. В., Когновицкая, Е. А., Лосев, С. Н., Абдулразак, С. Х., Бабичев, А. В., Савченко, Г. М., Лютецкий, А. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Гладышев, А. Г., Новиков, И. И., Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю., Соколовский, Г. С., Мармалюк, Александр Анатольевич

Созданы и исследованы квантовые каскадные лазеры (ККЛ) на основе InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими покрытиями. Изготовленные лазеры излучают в спектральном диапазоне 4 – 5 мкм. Изучено влияние вариации коэффициента отражения переднего зеркала на выходную мощность ККЛ с высокоотражающим задним зеркалом. Показано, что использование просветляющего покрытия на передней грани приводит к одновременному увеличению как порогового тока ККЛ, так и наклона ватт-амперной характеристики (ВтАХ). Это позволяет достигнуть более высокой выходной мощности при больших токах накачки. Напротив, использование частично отражающего покрытия на передней грани не только уменьшает пороговый ток ККЛ, но и снижает наклон ВтАХ. Такие ККЛ могут иметь преимущество перед другими излучателями при малых токах накачки.

2023, Козловский, В. И., Женишбеков, С. М., Скасырский, Я. К., Фролов, М. П., Андреев, А. Ю., Яроцкая, И. В., Мармалюк, А. А., Мармалюк, Александр Анатольевич, Яроцкая, Людмила Владимировна

Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм

2019, Bobretsova, Yu. K., Veselov, D. A., Voronkova, N. V., Slipchenko, S. O., Marmalyuk, A. A., Мармалюк, Александр Анатольевич

© 2019 Kvantovaya Elektronika, Turpion Ltd and IOP Publishing Ltd.A laser source for bleaching passive Q-switches of erbium-ytterbium lasers is developed and studied. The developed and studied compact pulsed module (peak power exceeding 10 W in a pulse with a duration of 1 μs at a wavelength around 1550 nm) is made on the basis of a semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide integrated with a pulsed pump card. To optimise the output laser characteristics, a series resistance was used in the laser pump circuit. The powers of the free-space and fibre-coupled modules at a temperature of 25 °C are 15 and 12 W, respectively, at a pulse shape close to rectangular.

2023, Подгаецкий, К. А., Лобинцов, А. В., Данилов, А. И., Иванов, А. В., Ладугин, М. А., Мармалюк, А. А., Кузнецов, Е. В., Дюделев, В. В., Михайлов, Д. А., Чистяков, Д. В., Бабичев, А. В., Когновицкая, Е. А., Лютецкий, А. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Гладышев, А. Г., Новиков, И. И., Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю., Соколовский, Г. С., Мармалюк, Александр Анатольевич

Представлены результаты сравнения металлодиэлектрических зеркальных покрытий для квантовых каскадных лазеров (ККЛ) среднего ИК диапазона. Изготовлены образцы ККЛ с оптическими покрытиями Al2O3 –Ti –Au и SiO2 – Ti –Au и изучены их характеристики. Показано, что использование металлодиэлектрических зеркальных покрытий позволяет увеличить выходную оптическую мощность приборов до 93% и снизить их пороговые токи в 1.25 раза.

2019, Ladugin, M. A., Andreev, A. Yu., Yarotskaya, I. V., Ryaboshtan, Yu. L., Marmalyuk, A. A., Мармалюк, Александр Анатольевич

This paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50-100) and, at the same time, a larger width (by a factor of similar to 2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.