Персона: Мартиросян, Ирина Валерьевна
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Мартиросян
Имя
Ирина Валерьевна
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияОткрытый доступСверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии(НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Абин, Дмитрий Александрович; Осипов, Максим Андреевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Мартиросян, Ирина ВалерьевнаИзобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента с ведущего вала на ведомый и расцепления его. Технический результат заключается в увеличении стабильности вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также в возможности осуществления бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия. Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта соединена с внешним приводом движения и содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения. Оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают. Ведущая полумуфта содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержит держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы. А вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель. 3 ил.
- ПубликацияОткрытый доступКомбинированный сверхпроводящий магнитный подшипник(2024) Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Абин, Дмитрий Александрович; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Мартиросян, Ирина ВалерьевнаИспользование: для электротехнических устройств. Сущность изобретения заключается в том, что комбинированный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, изготовленного из немагнитного материала с высокой теплопроводностью, на внешней стороне которого выполнены сверхпроводящие обмотки, каждая из которых представляет собой намотанную слоями ВТСП-ленту, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, на котором в пазах расположены постоянные магниты, причем геометрические центры каждой намотки ВТСП-лент статора и каждого ряда магнитов ротора расположены друг напротив друга, кроме того, оси симметрии ротора и статора совпадают. На одном из краев статора на его внешней поверхности вокруг трубы расположены стопки ВТСП-лент, состоящие из 1-100 слоев, причем стопки ВТСП-лент установлены внахлест с образованием полой сверхпроводящей призмы с толщиной стенок 12 мм, в основании которой лежит правильный многоугольник, причем количество сторон многоугольника определяется диаметром вышеупомянутой трубы, далее от полой сверхпроводящей призмы на расстоянии до 20 мм на внешней поверхности вышеупомянутой трубы устанавливаются друг за другом вдоль вертикальной оси трубы 5+4 n, где n=0, 1,2n, намоток ВТСП-лент шириной 12 мм, причем каждая намотка ВТСП-лент состоит от 1 до 70 слоев и покрыта слоем теплоизоляционного материала, вокруг статора напротив намоток из ВТСП-лент на расстоянии не более 30 мм от верхнего слоя намотки расположен цилиндрический ротор из немагнитного материала, на внутренней стороне которого в пазах закреплены 5+4 n, где n=0, 1, 2…n, рядов постоянных магнитов с размерами 10×10×10 мм, кроме того, ряды магнитов расположены на расстоянии 2 мм друг от друга в вертикальном направлении с образованием магнитной сборки Халбаха, причем геометрические центры каждой намотки ВТСП-лент и каждого ряда магнитов расположены друг напротив друга и в каждом ряду все магниты ориентированы в одном направлении. Технический результат: увеличение постоянного магнитного поля и улучшение стабилизации устройства при внешних воздействиях, стремящихся вызвать относительное поступательное смещение ротора и статора. 3 ил.
- ПубликацияОткрытый доступМагнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии(НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипова, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Руднев, Игорь Анатольевич; Мартиросян, Ирина Валерьевна; Абин, Дмитрий Александрович; Стариковский, Александр СергеевичИзобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента. Магнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта содержит постоянные магниты, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере. На внешней поверхности ведущей полумуфты размещены не менее одного ряда постоянных магнитов. На внутренней поверхности ведомой полумуфты напротив каждого постоянного магнита расположены стопки ВТСП лент. Количество стопок совпадает с количеством постоянных магнитов. Вокруг боковой поверхности ведомой цилиндрической полумуфты с зазором установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешней поверхности цилиндрического медного экрана, на противоположной стороне, обращенной к вышеупомянутой ведомой полумуфте, намотан нагреватель. Достигается увеличении стабильности вращения ведомого вала. 2 ил.