Персона: Сибирмовский, Юрий Дмитриевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Научная группа
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Сибирмовский
Имя
Юрий Дмитриевич
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияТолько метаданныеModelling of Quantum-confined Stark Effect in III-V Heterostructures for Electro-optic Modulator Applications(2019) Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 IEEE.The problem of modelling the absorption coefficient and refractive index spectra of III-V heterostructures with multiple quantum wells and superlattices under applied electric field is considered. This is a crucial step in the design of efficient and compact electro-optic modulators. The goal of this work is to find a simple, fast and reliable method to qualitatively compare various heterostructure designs. Which is why two-band effective mass approximation is used here. The paper contains comparison of existing methods as well as some new results.
- ПубликацияТолько метаданныеDonor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer(2019) Safonov, D. A.; Vinichenko, A. N.; Sibirmovsky, Yu. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. A comparison of the electron transport properties of pseudomorphic quantum well AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs with those of conventional donor layer (x = 0.15 and x = 0.25) and with AlAs nanoinserts around the delta-Si layer or AlAs: delta-Si donor layer is presented. The structures with added AlAs layers exhibit electron concentration decrease, combined with increased electron mobility. This effect is related to the suppression of remote ionized impurity electron scattering, change of band structure and decreasing efficiency of silicon atoms doping when incorporating in pure AlAs.
- ПубликацияОткрытый доступМеханизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs(НИЯУ МИФИ, 2018) Сибирмовский, Ю. Д.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Васильевский, И. С.