Персона:
Бурдыкин, Максим Сергеевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Бурдыкин
Имя
Максим Сергеевич
Имя

Фильтры

2015 - 20172
2
Сброс фильтров

Настройки

Имеет файлы: No ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ОКСИДА ИНДИЯ-ОЛОВА

2017, Бурдыкин, М. С., Бурдыкин, Максим Сергеевич, Каргин Николай Иванович

Просмотр
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

Исследование влияния технологии формирования омических контактов к гетероструктурам на основе GaN на их электрофизические свойства.

2015, Бурдыкин, М. С., Бурдыкин, Максим Сергеевич, Каргин Н.И.

В ходе данной работы было исследовано влияние технологии формирования омических контактов к гетероструктурам на основе GaN на их электрофизические свойства. Для создания омического контакта к n-GaN использовалась многослойная металлизация Ti/Si/Ti/Al/Ni/Au, полученная методом термического резистивного испарения, с последующим отжигом. Проведено исследование влияния температуры отжига на удельное сопротивление омического контакта и определен оптимальный режим отжига для получения наименьшего сопротивления. Полученное удельное сопротивление контактов удовлетворяет поставленным целям и составляет 0,42 Ом•мм. Ключевые слова: омический контакт, транзистор. Пояснительная записка к дипломному проекту изложена на 38 страницах, содержит 4 таблицы и 11 рисунков, список использованных источников из 66 наименований.

Просмотр