Publication: Исследование влияния технологии формирования омических контактов к гетероструктурам на основе GaN на их электрофизические свойства.
Дата
2015
Авторы
Бурдыкин, М. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В ходе данной работы было исследовано влияние технологии формирования омических контактов к гетероструктурам на основе GaN на их электрофизические свойства. Для создания омического контакта к n-GaN использовалась многослойная металлизация Ti/Si/Ti/Al/Ni/Au, полученная методом термического резистивного испарения, с последующим отжигом. Проведено исследование влияния температуры отжига на удельное сопротивление омического контакта и определен оптимальный режим отжига для получения наименьшего сопротивления. Полученное удельное сопротивление контактов удовлетворяет поставленным целям и составляет 0,42 Ом•мм. Ключевые слова: омический контакт, транзистор. Пояснительная записка к дипломному проекту изложена на 38 страницах, содержит 4 таблицы и 11 рисунков, список использованных источников из 66 наименований.
Описание
Уровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 140800; Группа: Т08-67А
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Бурдыкин, М. С. Исследование влияния технологии формирования омических контактов к гетероструктурам на основе GaN на их электрофизические свойства. : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 140800 / М. С. Бурдыкин ; рук. работы Каргин Н.И., 2015