Персона:
Холина, Марта Сергеевна

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Холина
Имя
Марта Сергеевна
Имя

Фильтры

2022 - 20243
3
3
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Application of two-photon absorption technique for single-event effects simulation in silicon microelectronic devices
    (2022) Egorov, A. N.; Mavritskii, O. B.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Kholina, M. S.; Егоров, Андрей Николаевич; Маврицкий, Олег Борисович; Печенкин, Александр Александрович; Холина, Марта Сергеевна
    © 2022 SPIE.The application of two-photon absorption (TPA) for local nonequilibrium charge generation in the semiconductor microelectronic structures improves the 3D-spatial resolution of optical testing techniques (such as OBIC and similar), as compared to those, based on single-photon absorption (SPA). In this paper we discuss the results of laser single-event effect (SEE) simulation in digital potentiometer AD8400, using the TPA of tightly focused femtosecond laser radiation. The experiments were performed at the setup, which includes the tunable optical parametric amplifier with output wavelength in 900…1200 nm region. The results were compared to those obtained by SPA technique on the same experimental setup.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Pulsed Laser Single-Event Effect Simulation in AD8400 using Two-Photon Absorption
    (2022) Egorov, A. N.; Mavritskii, O. B.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Kholina, M. S.; Егоров, Андрей Николаевич; Маврицкий, Олег Борисович; Печенкин, Александр Александрович; Холина, Марта Сергеевна
    © 2022 IEEE.The results of laser single-event effect (SEE) simulation in digital potentiometer AD8400, using the two-photon absorption (TPA) of tightly focused femtosecond 1200 nm laser radiation are presented. Comparative measurements obtained by the single-photon absorption (SPA) of picosecond 1064 nm laser radiation in the same device revealed the improved 3D-spatial resolution of TPA compared to SPA-based pulsed laser testing. The effective depth of single event latchup (SEL) sensitive layer estimation was calculated from experimental results.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    ЛАЗЕРНЫЙ МНОГОФОТОННЫЙ МЕТОД ТЕСТИРОВАНИЯ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА СТОЙКОСТЬ К ОДИНОЧНЫМ РАДИАЦИОННЫМ ЭФФЕКТАМ
    (2024) Холина, М. С.; Холина, Марта Сергеевна; МАВРИЦКИЙ ОЛЕГ БОРИСОВИЧ
    Остросфокусированное лазерное воздействие импульсным излучением ультракороткой длительности является удобным методом исследования в микроэлектронных приборах одиночных радиационных эффектов (ОРЭ), обычно вызываемых тяжелыми заряженными частицами (ТЗЧ) в реальных условиях космического пространства. В последние годы лазерные методы тестирования полупроводниковых приборов на стойкость к ОРЭ, основанные на многофотонном возбуждении, получили дополнительный импульс развития в связи с появлением на рынке коммерческих приборов на основе широкозонных полупроводников (ШЗП), таких, например, как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Данная работа направлена на развитие существующих и разработку новых подходов к лазерному тестированию полупроводниковых приборов на основе ШЗП на стойкость к ОРЭ, в рамках которой необходимо было провести анализ возможных механизмов поглощения в различных ШЗП, а также получить и проанализировать экспериментальные результаты по инициированию ОРЭ в этих приборах, с использованием оптических параметров, соответствующих исследуемым типам приборов и механизмам возбуждения. В первой главе представлен обзор литературы, в котором содержится краткая информация о классификации ОРЭ и особенностях их возникновения, включая эффекты, наблюдаемые в ШЗП-приборах, а также о месте лазерных методов для возбуждения этих эффектов. Описаны основные типы ШЗП-приборов на основе SiC и GaN, рассмотрены их преимущества по сравнению с кремниевыми приборами. Также рассмотрены основные особенности лазерных методов тестирования приборов на основе ШЗП на стойкость к ОРЭ. В заключительной части первой главы представлены сведения об основных результатах зарубежных исследований, опубликованных по теме настоящей работы. Вторая глава содержит описание методик и экспериментальных установок, использованных при проведении исследований, обсуждаются выбор и измерение их параметров (длина волны, диаметр пучка и т.п.). Также описываются исследуемые в эксперименте образцы ШЗП-приборов (их тип, материал, особенности структуры, схема включения и методы регистрации возбуждаемых эффектов). В третьей главе приведены основные экспериментальные результаты, полученные в ходе выполнения работы. Для каждого типа исследуемых приборов описаны особенности наблюдаемых эффектов и представлены зависимости их характеристик от параметров воздействия (режим возбуждения, энергия лазерного импульса, местоположение лазерного пучка). Существенную часть третьей главы занимает описание эксперимента по измерению нелинейного пропускания структуры GaN на кремниевой подложке с целью определения коэффициента трехфотонного поглощения в слое GaN. Также в этой главе приведены результаты численного моделирования процесса распространения сфокусированного лазерного излучения в структуре GaN, на основании которых была произведена оценка сгенерированного в ней неравновесного заряда за счет трехфотонного поглощения.