Персона:
Курельчук, Ульяна Николаевна

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Курельчук
Имя
Ульяна Николаевна
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 1 из 1
Загружается...
Уменьшенное изображение
Публикация
Открытый доступ

Спектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке

2023, Курельчук, У. Н., Борисюк, П. В., Чубунова, Е. В., Домашенко, М. С., Каражанов, С. Ж., Колачевский, Н. Н., Лебединский, Ю. Ю., Мызин, Д. А., Николаев, А. В., Ткаля, Е. В., Ткаля, Евгений Викторович, Мызин, Дмитрий Анатольевич, Чубунова, Елена Витальевна, Борисюк, Петр Викторович, Лебединский, Юрий Юрьевич, Николаев, Александр Васильевич, Курельчук, Ульяна Николаевна

Пленка кристаллического неона была конденсирована на подложке из золота и измерен спектр характеристических потерь энергии обратно рассеянных электронов (СХПЭ) при температуре 5К. Также были теоретически исследовано конденсированное ГЦК-состояние неона методами теории функционала плотности и многочастичной теории возмущений, приближения случайных фаз и уравнения Бете−Салпетера. Теоретический спектр СХПЭ был рассчитан как в приближении независимых электронов, так и с учетом многочастичных эффектов – экранирования локального поля, появления электронно-дырочных пар и связанных состояний (экситонов). Получена ширина запрещенной зоны – 21.5 эВ. Показано, что в СХПЭ неона пики потерь энергии от 17.8 до 21.5 эВ являются чисто экситонными. Кристаллическая пленка неона, являясь широкозонным диэлектриком, рассматривается как перспективный материал для имплантации Th и изучения уникального ядерного перехода в 229Th с энергией 8.2 эВ.