Персона:
Захарченко, Роман Викторович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Руководитель научной группы: Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий.
Фамилия
Захарченко
Имя
Роман Викторович
Имя

Фильтры

20192
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Leshchev, S. V. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

Thermal stability of tantalum nitride based thin film resistors

2019, Shostachenko, S. A., Zakharchenko, R. V., Ryzhuk, R. V., Leshchev, S. V., Захарченко, Роман Викторович, Рыжук, Роман Валериевич, Лещев, Сергей Валерьевич

© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Tantalum nitride thin films were deposited on Al2O3 substrates by the dc-magnetron sputtering technique. The nitrogen content in the argon/nitrogen flow varied from 5 to 50%. Structural properties were studied using X-ray diffraction. The ratio of Ar:N2 was 4:1; the ratio of Ta:N became 1:1. Sheet resistance depends on thickness and is in the range of 20 - 80 Ω/□ due to thickness 100 - 50 nm. The TaN films deposited at a nitrogen/argon ratio of 20% show the thermal stability of the resistance in the 25-400°C temperature range. Sheet resistance degradation was ∼ 5%. The TCR value was determined in the range of 25 - 300 C and was equal to - 21 ppm/K.

Просмотр
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

Temperature influence on process of Ti/Al/Ni/Au contact formation to heterostructure AlGaN/GaN

2019, Shostachenko, S. A., Porokhonko, Y. A., Zakharchenko, R. V., Leshchev, S. V., Maslov, M. M., Katin, K. P., Захарченко, Роман Викторович, Лещев, Сергей Валерьевич, Маслов, Михаил Михайлович, Катин, Константин Петрович

© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This paper is dedicated to the experimental investigation of Ohmic contacts to the n+-doped region of the AlGaN/GaN transistor heterostructure based on Ti/Al/Ni/Au metallization. The Al-Ti-N system has been assessed on the basis of available thermodynamic descriptions for binary subsystems. The effect of annealing temperature on the specific resistance of Ohmic contact was studied.

Просмотр