Персона:
Захарченко, Роман Викторович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Руководитель научной группы: Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий.
Фамилия
Захарченко
Имя
Роман Викторович
Имя

Фильтры

20192
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Leshchev, S. V. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Thermal stability of tantalum nitride based thin film resistors
    (2019) Shostachenko, S. A.; Zakharchenko, R. V.; Ryzhuk, R. V.; Leshchev, S. V.; Захарченко, Роман Викторович; Рыжук, Роман Валериевич; Лещев, Сергей Валерьевич
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Tantalum nitride thin films were deposited on Al2O3 substrates by the dc-magnetron sputtering technique. The nitrogen content in the argon/nitrogen flow varied from 5 to 50%. Structural properties were studied using X-ray diffraction. The ratio of Ar:N2 was 4:1; the ratio of Ta:N became 1:1. Sheet resistance depends on thickness and is in the range of 20 - 80 Ω/□ due to thickness 100 - 50 nm. The TaN films deposited at a nitrogen/argon ratio of 20% show the thermal stability of the resistance in the 25-400°C temperature range. Sheet resistance degradation was ∼ 5%. The TCR value was determined in the range of 25 - 300 C and was equal to - 21 ppm/K.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Temperature influence on process of Ti/Al/Ni/Au contact formation to heterostructure AlGaN/GaN
    (2019) Shostachenko, S. A.; Porokhonko, Y. A.; Zakharchenko, R. V.; Leshchev, S. V.; Maslov, M. M.; Katin, K. P.; Захарченко, Роман Викторович; Лещев, Сергей Валерьевич; Маслов, Михаил Михайлович; Катин, Константин Петрович
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This paper is dedicated to the experimental investigation of Ohmic contacts to the n+-doped region of the AlGaN/GaN transistor heterostructure based on Ti/Al/Ni/Au metallization. The Al-Ti-N system has been assessed on the basis of available thermodynamic descriptions for binary subsystems. The effect of annealing temperature on the specific resistance of Ohmic contact was studied.